Taiwan Semiconductor’dan “PDFN56 Dual” Paketinde 40V / 60V İkili N-kanal Güç MOSFET’leri

Taiwan Semiconductor’dan “PDFN56 Dual” Paketinde 40V / 60V İkili N-kanal Güç MOSFET’leri

Diyot, MOSFET gibi ayrık elemanlar ve güç yönetimi entegreleri üreticisi Taiwan Semiconductor ürün portföyünü genişletiyor.

"PDFN56 Dual" paketindeki (TSM110NB04DCR, TSM150NB04DCR, TSM250NB06DCR, TSM300NB06DCR) yeni ikili N-kanal güç MOSFET'leri gelişmiş güç yoğunluğu sunuyor.

Temel Özellikler:

• 40V / 60V dayanma gerilimleri
• 25A - 38A akım değerleri
• 15mΩ - 30mΩ'lük RDSon değerleri
• Hızlı anahtarlama
• 150°C maksimum çalışma "junction" sıcaklığı

Başlıca uygulamalar:

• BLDC motor kontrolü
• Batarya güç yönetimi
• DC / DC dönüştürücü
• SMPS’lerde DC kısımdaki senkron düzeltmeler

Detaylı Görüntüle