EPC yeni 100V, 1 mOhm EPC2361 Gan Fet’lerini tanıttı. Piyasadaki en düşük RdSon değerine sahip yeni GaN ürünleri eski jenerasyon GaN ürünlerine göre 2 kat güç yoğunluğu imkanı sağlıyor. Üründe Tipik Rdson değeri sadece 1mOhm ve EPC2361 ürünü termal geliştirilmiş oldukça küçük QNF paketlerde sunuluyor ( 3mm x 5mm).
Ürün datasheet’i
YAZAR:
Empa
İnterpoint firması yılların güç dönüşümü uzmanlığını, teknoloji yatırımını ve zengin marka...
650 V 1200V, 1700V ve 3300V’da Sektörün en kapsamlı portföyü ile üstün bir Silisyum Karbür...
Distribütörlüğünü yaptığımız MACOM firması, WOLFSPEED-CREE’nin RF grubunu bünyesine almışt...
EPC, EPC9159 geliştirme kartını piyasaya sürdü. EPC9159 ürünü özellikle yüksek güç yoğunlu...
EPC9194 demo kartı, EPC2302 eGaN FET 1.8 mΩ maksimum RDS(on), 100 V maksimum cihaz voltajı...
Opsiyonel olarak üzerinde LED ışık, toz ve suya karşı ekstra koruma sağlamak adına kapak i...
Genesic Semiconductor, yeni nesil 1200V G3R ™ SiC MOSFET’leri 20 mΩ ila 350 mΩ arasında d...
Her ay yayınlanan mail bültenlerimize abone olarak IoT&Sensor,
Power, Lighting ve Cloud&AI gibi birçok yenilikten haberdar olun!